水解酸化—厌氧—两级接触氧化工艺处理多晶硅废水中CODCr

田doi：10．3969／j．issn．1672—5425．2012．12．0232012，v01．29No．12亿学与耋助Z程Chemis时&Bioengin∞rIng水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺处理多晶硅废水中CoDQ董俊1．一。刘鲁建1．-。吴靖霆2．刘卫勇2，王芳2。张双峰2(1．武汉长江工商学院科亮生物工程研究院，湖北武汉430065；2．湖北科亮生物工程有限公司，湖北武汉430065)摘要：采用水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺处理多晶硅废水中CODc，，CoDcr去除率达到95％以上，出水符合《污水综合排放标准》(GB8978—1996)的一级排放标准。该工艺声进水营养单一的情况下，无需投加碳源，运行稳定，具有抗冲击负荷能力强、产泥少、污泥处理费用低、运行成本低、管理简单等优点，经济效益和环境效益明显。关键词：多晶硅废水；水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺；CODc，中图分类号：X703文献标识码：A文章编号：1672—5425(2012)12—0086—03江西九江某太阳能多晶硅片生产企业的硅片清洗及生活污水处理规模为3000m3·d～，主要来自切片／开方车间，含有硅粉、碳化硅、聚乙二醇、清洗液和乳酸等物质，废水的COD白值和SS值较高，卣于聚乙二醇具有一定的生物稳定性[口且其它N、P等营养微量元素欠缺，导致处理困难o~4]。目前处理多晶硅废水的常规工艺[53为：废水进入调节池后曝气均质一氢氧化钠中和一加入PAC以及PAM絮凝沉淀一经水解酸化和好氧的生化作用一混凝气浮进一步优化出水水质。该工艺存在污泥膨胀、需大量补充碳源、处理成本高、工艺控制要求严格等缺点。作者在此对该工艺絮凝后出水的生化工艺进行改进，采用水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺，去除多晶硅废水中CODc，，以期为多晶硅废水的处理提供新途径。l实验表1Thb．11．1废水水质多晶硅废水经絮凝处理后的水质如下：pH值8～9、CODc，2000～2400mg·L一1、BOD5500mg·L一1。1．2工艺流程生化处理的核心工艺是水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺，处理系统最基本单元是一系列圆形和矩形生物反应池，池之间水力相通，反应池设有曝气系统、生物带，并投加科利尔复合活菌净水剂。利用生物带的高比表面积及生物易吸附性，在生化系统内保持较大规模的生物量，充分利用微生物的降解作用去除表面活性剂、降解有机物。工艺流程如图1所示，装置主要参数见表1。絮凝出刊巫巫H亟H匦匦惭皿出水1囡逍图1水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺流程示意图Fig．1Schematicdia矿帅ofhydroIysisacidificati时anaerobi‘’twolevelcontactoxidatjon装置主要参数．Themainparame蛔噶OfdeVjce收稿日期：2012一07—19作者简介：董俊(1984一)，男，湖北黄梅人，助教，研究方向：水污染控制工程及生态修复，E-mail：279315202@qq．com。万方数据董俊等：水解酸化一厌氧一两级接触氧化工艺处理多晶硅废水中COD。／2012年_12期——————————————_囫1．3主要工艺说明1．3．1水解酸化多晶硅废水成分复杂，可生化性差(BoDs／COD—O．22)，含有大量难以降解的聚乙二醇。水解酸化能有效提高废水的可生化性，缩短废水在接触氧化池的停留时间。由于好氧的负荷高、进水浓度高，因此，将接触氧化池1的水回流至水解酸化池，可以稀释进水浓度、降低冲击负荷、提高处理系统的稳定性，同时有利于一些未被生物降解的有机物的进一步处理。’1．3．2厌氧利用水解酸化菌和厌氧菌的作用，去除废水中的有机物，主要是将水中大分子有机酸分解为小分子有机酸，同时利用小分子有机物增殖并产生二氧化碳和甲烷。1．3．3接触氧化生物接触氧化池采用两级，曝气方式采用橡胶盘中孔鼓风曝气，内置生物带，水解酸化出水由接触氧化池下部流入，与曝气气流形成逆流，增大气、水接触面积。采用多级反应池，可提高处理效果。2结果与讨论2．1水解酸化阶段的去除效果经过水解酸化处理后，BOD；／COD值由O．22升至o．36，可生化性大大提高，为后续接触氧化去除CODc，提供了有利的条件。2．2系统对COD心的去除效果系统调试阶段各单元出水CODc，值随处理进程的变化情况如图2所示。j曲运§时间，d+进水+水解酸化+厌氧*接触氧化l+接触氧化2+去除率120lOO80掌so鍪粕4020O图2各单元coDo的去除效果F喀2COD臼Removalemci蛐cyjndifferentunitsofpr∞嘲由图2可以看出，进水CODcr浓度范围为2000～2400mg·L～，进水浓度和容积负荷波动较大，平均浓度为2200mg·L_。；水解酸化段CODcr去除效果不明显，主要依