铁屑流化床预处理一催化氧化一混凝沉淀组合工艺处理有机硅废水
- 张立中
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2020-03-21 09:44:47
文档简介:
2006年第26卷第1期化工环保ENVIR0NMENTALPROTBCT10N0FCHEMICALINDUSTRY·4l-铁屑流化床预处理一催化氧化一混凝沉淀组合工艺处理有机硅废水谢娟,胡筱敏,章一丹(东北大学环境工程系,辽宁沈阳110004)[摘要]采用铁屑流化床预处理、负载活性炭催化剂催化氧化和混凝沉淀组合工艺处理有机硅废水。废水经铁屑流化床预处理后cu“的去除率达99.90%,COD去除率达23.9%;负载活性炭催化剂催化氧化的最佳工艺条什:催化剂质量浓度为0.5g/L,H2O2质量浓度为2400mg/L,不投加FeSO,反应时间为60min,体系pH为3—4,COD去除率达82%。催化氧化后的废水经混凝沉淀处理,调节pH为8—9,可达标排放。[关键词]有机硅;铁屑;流化床;活性炭;催化氧化;混凝;废水处理[中图分类号]X703[文献标识码]A[文章编号]1006—1878(2006)01—0041—04TreatmentofOrganosiliconWastewaterbyIronShavingFluidizedBedPretreatment·CatalyticOxidation·CoagulatingSedimentationProcessXieJuan,HuXiaomin,ZhangYidan(DepartmentofEnvironmentalEngineering,NortheasternUniversity,LiaoningShenyang110004,China)Abstract:Theorganosiliconwastewaterwastreatedbythecombinedprocessofironshavingfluidizedbedpretreatment—catalyticoxidationwithloadedactivatedcarboncatalyst—coagulatingsedimentation.TheremovalratesofCu¨andCODinthepretreatmentefluentare99.90%and23.9%respectively.TheremovalrateofCODinthecatalyticoxidationefluentis82%whentheoptimumprocessconditionsareasfollows:catalystmassconcentration0.5g/L,H2O2massconcentration2400mg/L,noFeSO4,reactiontime60minandsystempH3—4.ThecoagulatingsedimentationefluentofwhichthepHisadjustedto8—9canmeetthenationaldischargestandards.Keywords:organosilicon;ironshaving;fluidizedbed;activatedcarbon;catalyticoxidation;coagulation;wastewatertreatment有机硅废水的组成复杂,并且具有毒性大、难生物降解的特点⋯。国内少见对有机硅废水处理的报道。浙江省某合成材料公司的有机硅废水的BOD与COD的比为0.15—0.25,属于难生化处理废水;废水pH较低;废水中主要的有机物有CHC1、硅醇、硅醚等;主要的无机物有盐酸、cu¨等。本研究采用铁屑流化床预处理、负载活性炭催化剂催化氧化和混凝沉淀等方法对该废水进行处理,取得了较好的效果。1实验部分1.1废水水量和水质该公司废水排放量为1392t/d。废水水质及排放标准见表1。表1有机硅废水水质[收稿日期]2005—06—28;[修订日期]2005一O7一O5。[作者简介]谢娟(198O),女,安徽省宿州市人,硕士研究生.主要研究方向为水污染治理。电话:13588274644;电邮:xi~uan990236@tom.com。维普资讯http://www.cqvip.com·42·化工环保ENVIRONMENTALPROTECTIONOFCHEMICALINDUSTRY2006年第26卷1.2试剂和仪器H2O2溶液(质量分数30%),FeSO·7H2O,莆铬酸钾,HNO3,HC1,NaOH,Ca(OH)皆为分析纯;铁屑,铸铁,120~240目;活性炭,200目,比表面积为730m/g。PHS一3型酸度计,上海沪新电子仪器厂;721型分光光度计,上海第三分析仪器厂;DGB20—002型干燥箱,重庆试验设备厂。1.3催化剂的制备将活性炭置于质量分数为10%的HNO溶液中,在水浴中【旦j流2h,再用水洗至中性,经热处理和扩孑L处理,在真空条件下镀膜,制备出
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