USFB-气浮-兼氧-接触氧化工艺处理高浓度制药废水
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2020-03-26 10:14:30
文档简介:
给水排水Vol135No18200957·工业给排水·USFB—气浮—兼氧—接触氧化工艺处理高浓度制药废水王淑利1于恒雷2官启义2骆培明2关兵2赵文杰2(1上海海珠建筑工程设计有限公司,上海200092;2上海一环环保工程有限公司,上海201100)摘要某制药厂生产废水浓度不同,低浓度废水和高浓度废水分别进入以USFB—气浮—兼氧—接触氧化为主体工艺的处理系统。工程实践表明,经该工艺处理后,出水CODCr稳定在500mg/L以下,达到《污水综合排放标准》(GB8978—1996)三级标准。关键词制药废水USFB气浮兼氧接触氧化1工程概况江苏某制药厂主要生产降血压药物及制剂,生产废水量约为1000m3/d,水质成分复杂,污染物浓度高,含有大量难降解物质。经分析调查决定对高浓度废水进行预处理,降低水中的毒性物质,再与低浓度废水混合处理,出水执行《污水综合排放标准》(GB8978—1996)三级标准。设计进水水质及排放标准见表1,工艺流程详见图1。表1废水进水水质及排放标准项目CODCr/mg/LBOD5/mg/L氨氮/mg/LSS/mg/LpH高浓度废水237801000035062002~3低浓度废水733225501656~7排放标准500100501006~9图1废水处理工艺流程2主要构筑物和设备参数(1)调节池。1座,钢筋混凝土结构,尺寸13m×13m×418m,有效容积676m3,池顶设酸碱调节罐和加药装置。(2)USFB反应器。1座,钢筋混凝土结构,尺寸13m×13m×918m,有效水深9m,有效容积1521m3,容积负荷2106kgCODCr/(m3·d),内设4组布水系统,4组填料,4套三相分离器,外置循环系统4套。(3)气浮池。1座,钢筋混凝土结构,尺寸13m×6m×415m,有效水深4m,有效容积312m3。(4)兼氧池。1座,钢筋混凝土结构,尺寸30m×12m×715m,有效水深7m,有效容积2520m3,HRT3145d,容积负荷01565kgCODCr/(m3·d),DO015~1mg/L,采用盘式曝气器20组,SSR型罗茨风机2台(1用1备),GW80242212型回流泵2台(1用1备)。(5)接触氧化池。1座,钢筋混凝土结构,尺寸30m×12m×715m,有效水深7m,有效容积2520m3,HRT2152d,容积负荷01099kgCODCr/(m3·d),DO2~4mg/L,内置球形填料,采用盘式曝气器20组,与兼氧池共用罗茨风机,GW80242212回流泵2台(1用1备),竖轴旋转式搅拌机2台,功率515kW。(6)终沉池。1座,钢筋混凝土结构,尺寸�12×415m,有效水深4m,GN212型周边传动刮泥机1台,GW80242212型管道泵2台。3工艺的调试运行311USFB反应器由于大多数厌氧菌对环境敏感的特性及专性厌氧微生物的酶系统对氧的极端不稳定性,使得厌氧反应器的菌群对极小的变化比好氧生物处理系统更敏感,因此厌氧系统的启动时间较长,短的二三个月,长的达半年甚至一年之久,严重影响了厌氧工艺在废水处理中的应用。本工程在2个月内完成了整个系统的初次启动,而且反应器去除率高。本文结合实际调试经验,具体阐述USFB反应器启动应注58给水排水Vol135No182009意的要点。31111调试重点高浓度废水进入USFB反应器外循环装置,经加温后由泵提升进入USFB反应器。控制USFB反应器进水量480m3/d,靠两大回流来维持上升流速,高位配水来确保进水均衡,厌氧填料来保证污泥总量。(1)污泥的接种。USFB反应器同其他厌氧反应器一样,接种污泥的来源有很多,应用最多的是污水处理厂消化池的消化污泥,此外动物粪便、下水道沉积污泥都可作为接种污泥。该反应器中投加的是城市污水处理厂的消化污泥。前提是要保证污泥菌种的数量和活性,并严格控制有毒物质侵入。一般来说,污泥的投加量为USFB反应器容积的20%~30%。稠型污泥的接种量为20~30kgVSS/m3,浓度小于40kgTSS/m3的稀消化污泥接种量可以略小些。其次,接种污泥时不可一次性大量投加,每次投加污泥的时间间隔一般不少于2天,否则会造成污泥淤积而影响反应器的运行。(2)pH的控制。USFB反应器pH控制在618~718。池内pH变化受挥发酸和碱度的影响。启动初期,由于产酸菌的活性要比产甲烷菌活性提升的快,常常会造成反应器内挥发酸偏高,而且pH的变化相对于挥发酸要滞后,当挥发酸浓度升至一定浓度时pH才会降低,pH<615时反应器有酸化的危险,这时应加碱调节,最好加碳酸氢钠,碱度会对反应器的pH起到一定的缓冲作用,是衡量厌氧系统缓冲能力的重要指标。当反应器内挥发酸浓度和碱度比低于013时,表明系统运行正常。(3)温度的控制。本工程USFB反应器内部温度控制在
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