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第81讲 电工电子技术半导体三极管及基本放大电路(一)(2010年新版)

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第81讲 电工电子技术半导体三极管及基本放大电路(一)(2010年新版) 环球网校:视频授课+名师答疑+在线模考+内部资料,考试通过无忧!考试问吧,有问必答考试问吧,有问必答!音频、讲义网校免费提供,如有贩卖勿上当,免费咨询:400-678-3456转6011页造价工程师|监理工程师|咨询工程师|一级建造师|二级建造师|会计证|建筑师|安全工程师|会计职称|注册会计师|注册税务师|银行从业|证券从业|期货从业|经济师|报关员|外销员|执业药师|卫生职称|助理医师|职称英语|职称日语|职称计算机|雅思|公共英语|自考英语|新概念|BEC|托福|公务员|人力资源师|高考|中考|司法考试|更多需要课件请联系需要课件请联系QQ149420357或547343758第七节第七节半导体三极管及基本放大电路半导体三极管及基本放大电路一、半导体三极管一、半导体三极管(一)基本结构半导体三极管(简称晶体管)是在一块半导体上生成两个PN结组成,有NPN和PNP两大类型,其结构和符号如图8-7-1所示。由图可见,它们有三个区,分别称为发射区、基区和集电区。三个区各引出一个电极,分别称为发射极E、基极B、集电极C。发射区和基区之间形成的PN结称发射结,基区和集电区之间的PN结称集电结。晶体管制造工艺的特点是:发射区掺杂浓度高,基区很薄且掺杂浓度很低,集电区掺杂浓度低且结面积比发射结大。这些特点是晶体管具有电流放大能力的内部条件。(二)晶体管的放大原理1.晶体管处于放大状态的条件:为了使晶体管具有放大作用,除了结构上的条件外,还必须有合适的外部条件。这就是要求外加电压使发射结正偏,集电结反偏。根据偏置要求,外加直流电源与管子的连接方式如图8-7-2所示。2.晶体管内部载流子的传输过程:晶体管在放大电路中有三种连接方式(或称组态),即共发射极、共基极和共集电极接法,如图8-7-3所示。为了分析晶体管的放大原理,简单介绍一下晶体管内部载流子的传输过程。以共射接法的NPN型管为例(图8-7-4)。(1)发射区向基区发射电子的过程:由于发射结正偏,发射区的多子(电子)向基区扩散,形成射极电子流IEN,同时基区的少子(空穴)也会向发射区扩散,形成空穴流IEP。由于基区掺杂浓度很低,这部分电流可忽略,IE≈IEN,方向由发射极流出。(2)电子在基区的扩散和复合过程:大量电子流人基区后,继续向集电结方向扩

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