德国E H电极CPS471_CPS471D

德国E H电极CPS471_CPS471DTI00283C/28/ZH/03.10技术资料TophitCPS471,CPS471DISFET电极，可蒸汽消毒和高温灭菌，用于pH测量模拟式或Memosens数字式电极1应用应用•卫生型和无菌应用场合•食品行业和制药行业•生物技术通过ATEX、FM和CSA认证，适用于危险应用场合。优势优势•抗破裂：-电极本体采用PEEK材料-直接安装在过程中，操作简便，降低了使用成本，适用于采样和实验室分析•生物兼容性认证•双腔室参比系统：-抗毒性-无聚丙烯酰胺凝胶•满足低温应用要求：-响应时间短-始终具有高测量精度•可蒸汽消毒和高温灭菌•相比于玻璃电极，具有较长的标定间隔时间-交替变化的温度条件下，具有较短的迟滞时间-经过高温条件后，测量误差依旧很小-几乎无酸碱误差•内置温度传感器用于有效温度补偿•与自动可伸缩式安装支架配套使用，是CIP过程的理想选择Memosens技术优势技术优势•非接触式感应信号传输确保了最高过程安全性•数字式数据传输确保了数据安全•储存传感器特征参数，操作简便•传感器中记录传感器负荷参数，可实现预维护TophitCPS471,CPS471D2Endress+Hauser功能与系统设计功能与系统设计测量原理测量原理离子选择性选择性，或更常见的离子敏感敏感场效应晶体管(ISFET)于70年代设计开发，作为pH测量当中除玻璃电极之外的一种有效补充。基本原理基本原理离子选择性场效应晶体管采用MOS1)晶体管结构(å1)，其中金属栅极(部件1)不是控制电极。相反，ISFET中的介质(å2，部件3)直接接触栅极隔离层(部件2)。两个强N型导电区扩散至半导体材料(Si)的P型导电基板(å2，部件5)。N型导电区为电流供给电极(“源极”，S)和电流接收电极(“漏极”，D)。金属栅极电极(MOSFET)和介质(ISFET)形成以下带基板的电容器。栅极和基板(UGS)间的电势差导致“源极”和“漏极”间出现较高电子密度。形成N型导电沟道(部件2)，即产生漏电电流(ID)。使用ISFET时，介质直接接触栅极隔离层。因此，介质中出现氢离子(H+)，位于介质/栅极隔离层的边缘层，产生电场(栅极电位栅极电位)。取决于上述效应，形成N型导电沟道，且“源极”和“漏极”之间形成电流。合适的电极回路基于离子选择性栅极电位关系生成输出信号，与离