内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究

内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究第36卷第5期2009年5月中国激光CHINESEJOURNALOFLASERSV01．36．No．5May。2009文章编号：0258—7025(2009)05—1057—05内腔接触氧化限制型垂直腔面发射激光器小信号调制特性研究王同喜郭霞关宝璐沈光地(北京工业大学北京市光电子技术实验室，北京100124)摘要建立了一种适用于多量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)的多层速率方程模型。在理论与实验基础上，对器件进行小信号分析，得到了光子密度、载流子俘获、逃逸和隧穿时间等关键参数对VCSEL频率响应特性的影响。结果表明VCSEI。调制带宽会随着输出功率增大而变宽。并进一步研究了内腔接触氧化限制型VCSEI。的寄生电参数及其寄生电路，对其小信号频率响应进行了模拟分析。关键词垂直腔面发射激光器；调制特性；速率方程；寄生参数中图分类号TN248．4文献标识码Adoi：10．3788／CJL20093605．1057StudyontheSmallSignalModulationCharacteristicofInternal-ContactOxide-ConfinedVertical-CavitySurface-EmittingLasersWangTongxiGuoXiaGuanBaoluShenGuangdi．(BeringPhotoetectroniesTechnologyLaboratory，BeijingUniversityofTechnology，Beijing100124，China)AbstractArateequationmodelofmulti—quantumwellsvertical—cavitysurface．emittinglaser(VCSEL)ispresentedaftertheoreticalanalysis．Theeffectsofphotondensityandthecarriercapture-escape·tunneltimeonthefrequencyresponseofVCSELaresimulatedbythesmallsignalanalysis．Theresultsbothofsimulationandexperimentshowthatthemodulationband